NPN-transistor 2N3904, TO-92, 40V, 200mA, 100mA, TO-92, 40V

NPN-transistor 2N3904, TO-92, 40V, 200mA, 100mA, TO-92, 40V

Kvantitet
Enhetspris
10-49
0.51kr
50-99
0.44kr
100-199
0.39kr
200+
0.32kr
+7842 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 945
Minimum: 10

NPN-transistor 2N3904, TO-92, 40V, 200mA, 100mA, TO-92, 40V. Hölje: TO-92. Collector-Emitter Voltage VCEO: 40V. Samlarström Ic [A], max.: 200mA. Kollektorström: 100mA. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. Bandbredd MHz: 270MHz. C(tum): 8pF. CE-diod: nej. Collector Current IC [A]: 200mA. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 30. Darlington-transistor?: nej. Driftstemperatur: -55...+150°C. Effekt: 0.625W. FT: 250 MHz. Frekvens: 300MHz. Funktion: Switchande transistor. Gränsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 200mA. Information: -. Kapsling (JEDEC-standard): -. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V. Komponentfamilj: NPN-transistor. Konditionering: Ammo Pack. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Kostnad): 4pF. MSL: -. Max hFE-förstärkning: 300. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Minsta hFE-förstärkning: 100. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Monteringstyp: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.25V. Nuvarande Max 1: 0.2A. Pd (effektförlust, max): 0.5W. Polaritet: bipolär. RoHS: ja. Serie: 2N. Spec info: hFE 100-300 (IC=10mAdc, VCE=1.0Vdc). Spänning (Collector - Emitter): 40V. Teknik: "Epitaxial Planar Die Construction". Tf(max): 75 ns. Tillverkarens märkning: 2N3904. Typ av transistor: NPN. Typ: Standard. VCBO med kollektorbas: 60V. Vcbo: 60V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: Diotec Semiconductor. Minsta kvantitet: 10. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 01:37

Teknisk dokumentation (PDF)
2N3904
53 parametrar
Hölje
TO-92
Collector-Emitter Voltage VCEO
40V
Samlarström Ic [A], max.
200mA
Kollektorström
100mA
Hölje (enligt datablad)
TO-92
Kollektor-/emitterspänning Vceo
40V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
Bandbredd MHz
270MHz
C(tum)
8pF
CE-diod
nej
Collector Current IC [A]
200mA
DC Collector/Base Gain Hfe Min.
30
Darlington-transistor?
nej
Driftstemperatur
-55...+150°C
Effekt
0.625W
FT
250 MHz
Frekvens
300MHz
Funktion
Switchande transistor
Gränsfrekvens ft [MHz]
300 MHz
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
200mA
Kollektor-emitterspänning Uceo [V]
40V
Komponentfamilj
NPN-transistor
Konditionering
Ammo Pack
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Kostnad)
4pF
Max hFE-förstärkning
300
Max temperatur
+150°C.
Maximal förlust Ptot [W]
0.625W
Minsta hFE-förstärkning
100
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Monteringstyp
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
0.25V
Nuvarande Max 1
0.2A
Pd (effektförlust, max)
0.5W
Polaritet
bipolär
RoHS
ja
Serie
2N
Spec info
hFE 100-300 (IC=10mAdc, VCE=1.0Vdc)
Spänning (Collector - Emitter)
40V
Teknik
"Epitaxial Planar Die Construction"
Tf(max)
75 ns
Tillverkarens märkning
2N3904
Typ av transistor
NPN
Typ
Standard
VCBO med kollektorbas
60V
Vcbo
60V
Vebo
5V
Originalprodukt från tillverkaren
Diotec Semiconductor
Minsta kvantitet
10