NPN-transistor 2N3055-ONS, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 70V

NPN-transistor 2N3055-ONS, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 70V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
140.28kr
5-24
127.07kr
25-49
117.63kr
50-99
110.95kr
100+
100.53kr
Antal i lager: 47

NPN-transistor 2N3055-ONS, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 70V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 70V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 2. BE-diod: nej. CE-diod: nej. FT: 2.5 MHz. Funktion: Ljudförstärkare linjär och switchande. Halvledarmaterial: kisel. Max hFE-förstärkning: 70. Minsta hFE-förstärkning: 20. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Pd (effektförlust, max): 115W. Spec info: komplementär transistor (par) MJ2955. Teknik: "epitaxial-bas planar technology". Temperatur: +200°C. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Vebo: 7V. Originalprodukt från tillverkaren: ON Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 01:37

2N3055-ONS
23 parametrar
Kollektorström
15A
Hölje
TO-3 ( TO-204 )
Hölje (enligt datablad)
TO-3
Kollektor-/emitterspänning Vceo
70V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
2
BE-diod
nej
CE-diod
nej
FT
2.5 MHz
Funktion
Ljudförstärkare linjär och switchande
Halvledarmaterial
kisel
Max hFE-förstärkning
70
Minsta hFE-förstärkning
20
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
1V
Pd (effektförlust, max)
115W
Spec info
komplementär transistor (par) MJ2955
Teknik
"epitaxial-bas planar technology"
Temperatur
+200°C
Typ av transistor
NPN
Vcbo
100V
Vebo
7V
Originalprodukt från tillverkaren
ON Semiconductor