NPN-transistor 2N2369A, TO-18 ( TO-206 ), 200mA, 0.2A, TO-18, 40V

NPN-transistor 2N2369A, TO-18 ( TO-206 ), 200mA, 0.2A, TO-18, 40V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
32.49kr
5-24
28.94kr
25-49
26.54kr
50-99
24.89kr
100+
21.95kr
+8 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 43

NPN-transistor 2N2369A, TO-18 ( TO-206 ), 200mA, 0.2A, TO-18, 40V. Hölje: TO-18 ( TO-206 ). Samlarström Ic [A], max.: 200mA. Kollektorström: 0.2A. Hölje (enligt datablad): TO-18. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Antal terminaler: 3. Driftstemperatur: -60...+200°C. FT: 500 MHz. Funktion: Switchande transistor. Gränsfrekvens ft [MHz]: 675 MHz. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 0.5A. Kapsling (JEDEC-standard): TO-18. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 15V. Komponentfamilj: NPN-transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Max hFE-förstärkning: 120. Max temperatur: +200°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 0.36W. Minsta hFE-förstärkning: 40. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Pd (effektförlust, max): 0.36W. RoHS: ja. Tf(max): 15 ns. Tf(min): 15 ns. Tillverkarens märkning: 2N2369. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 40V. Originalprodukt från tillverkaren: Mev. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 01:37

Teknisk dokumentation (PDF)
2N2369A
32 parametrar
Hölje
TO-18 ( TO-206 )
Samlarström Ic [A], max.
200mA
Kollektorström
0.2A
Hölje (enligt datablad)
TO-18
Kollektor-/emitterspänning Vceo
40V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Antal terminaler
3
Driftstemperatur
-60...+200°C
FT
500 MHz
Funktion
Switchande transistor
Gränsfrekvens ft [MHz]
675 MHz
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
0.5A
Kapsling (JEDEC-standard)
TO-18
Kollektor-emitterspänning Uceo [V]
15V
Komponentfamilj
NPN-transistor
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Max hFE-förstärkning
120
Max temperatur
+200°C.
Maximal förlust Ptot [W]
0.36W
Minsta hFE-förstärkning
40
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
0.2V
Pd (effektförlust, max)
0.36W
RoHS
ja
Tf(max)
15 ns
Tf(min)
15 ns
Tillverkarens märkning
2N2369
Typ av transistor
NPN
Vcbo
40V
Originalprodukt från tillverkaren
Mev