NPN-transistor 2N2219A, TO-39 ( TO-205 ), 800mA, 0.8A, TO-39, 40V

NPN-transistor 2N2219A, TO-39 ( TO-205 ), 800mA, 0.8A, TO-39, 40V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
11.85kr
5-24
10.14kr
25-49
8.86kr
50-99
7.73kr
100+
6.34kr
+200 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 97

NPN-transistor 2N2219A, TO-39 ( TO-205 ), 800mA, 0.8A, TO-39, 40V. Hölje: TO-39 ( TO-205 ). Samlarström Ic [A], max.: 800mA. Kollektorström: 0.8A. Hölje (enligt datablad): TO-39. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. C(tum): 25pF. CE-diod: nej. Collector Current IC [A]: 800mA. Effekt: 800mW. FT: 300 MHz. Frekvens: 250MHz. Gränsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Halvledarmaterial: kisel. Kapsling (JEDEC-standard): TO-39. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V. Komponentfamilj: NPN-transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Kostnad): 8pF. Max hFE-förstärkning: 300. Max temperatur: +200°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 0.8W. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Minsta hFE-förstärkning: 100. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Pd (effektförlust, max): 0.8W. Polaritet: bipolär. RoHS: ja. Spänning (Collector - Emitter): 60V. Tillverkarens märkning: 2N2219A. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 75V. Vebo: 6V. Originalprodukt från tillverkaren: Cdil. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 01:37

Teknisk dokumentation (PDF)
2N2219A
38 parametrar
Hölje
TO-39 ( TO-205 )
Samlarström Ic [A], max.
800mA
Kollektorström
0.8A
Hölje (enligt datablad)
TO-39
Kollektor-/emitterspänning Vceo
40V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
C(tum)
25pF
CE-diod
nej
Collector Current IC [A]
800mA
Effekt
800mW
FT
300 MHz
Frekvens
250MHz
Gränsfrekvens ft [MHz]
300 MHz
Halvledarmaterial
kisel
Kapsling (JEDEC-standard)
TO-39
Kollektor-emitterspänning Uceo [V]
40V
Komponentfamilj
NPN-transistor
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Kostnad)
8pF
Max hFE-förstärkning
300
Max temperatur
+200°C.
Maximal förlust Ptot [W]
0.8W
Maximal mättnadsspänning VCE(sat)
1V
Minsta hFE-förstärkning
100
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
0.3V
Pd (effektförlust, max)
0.8W
Polaritet
bipolär
RoHS
ja
Spänning (Collector - Emitter)
60V
Tillverkarens märkning
2N2219A
Typ av transistor
NPN
Vcbo
75V
Vebo
6V
Originalprodukt från tillverkaren
Cdil