IRLML6402PBF

IRLML6402PBF

Kvantitet
Enhetspris
10-19
8.64kr
20-99
8.35kr
100-499
7.44kr
500-1999
6.72kr
2000+
6.25kr
Antal i lager: 4561
Minimum: 10

IRLML6402PBF. Drag: -. Driftstemperatur: -. Grind/källa spänning Vgs max: -12V. Hölje: SOT23. Id @ Tc=25°C (kontinuerlig dräneringsström): 3.7A. Information: -. Körspänning: -. MSL: -. Monteringstyp: SMD. Pd (effektförlust, max): 1.3W. Polaritet: MOSFET P. QG (Total Gate Charge, Max @ VGS): -. Serie: HEXFET. Vdss (Drain to Source Voltage): -20V. Vgs (th) (max) @ id: -. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon. Minsta kvantitet: 10. Antal i lager uppdaterad den 15/02/2026, 12:52

Teknisk dokumentation (PDF)
IRLML6402PBF
10 parametrar
Grind/källa spänning Vgs max
-12V
Hölje
SOT23
Id @ Tc=25°C (kontinuerlig dräneringsström)
3.7A
Monteringstyp
SMD
Pd (effektförlust, max)
1.3W
Polaritet
MOSFET P
Serie
HEXFET
Vdss (Drain to Source Voltage)
-20V
Originalprodukt från tillverkaren
Infineon
Minsta kvantitet
10