BPY62-4

BPY62-4

Kvantitet
Enhetspris
1+
90.25kr
Antal i lager: 100

BPY62-4. Antal terminaler: 3. Avstängningsfördröjning tf [μsek.]: 9us. Dominant våglängd [nm]: 830nm. Halv detekteringsvinkel δ 1/2 [°]: ±8°. Hölje: TO-18. Kapsling (JEDEC-standard): -. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 35V. Komponentfamilj: fototransistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Max temperatur: +125°C.. RoHS: ja. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Tillkopplingstid tr [μsek.]: 9us. Ytterbredd [mm]: 5.6mm. Ytterdiameter [mm]: 4.8mm. Yttre längd [mm]: 5.4mm. Yttre tjocklek [mm]: 5.6mm. Originalprodukt från tillverkaren: Osram Opto Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 20:50

BPY62-4
17 parametrar
Antal terminaler
3
Avstängningsfördröjning tf [μsek.]
9us
Dominant våglängd [nm]
830nm
Halv detekteringsvinkel δ 1/2 [°]
±8°
Hölje
TO-18
Kollektor-emitterspänning Uceo [V]
35V
Komponentfamilj
fototransistor
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Max temperatur
+125°C.
RoHS
ja
Samlarström Ic [A], max.
100mA
Tillkopplingstid tr [μsek.]
9us
Ytterbredd [mm]
5.6mm
Ytterdiameter [mm]
4.8mm
Yttre längd [mm]
5.4mm
Yttre tjocklek [mm]
5.6mm
Originalprodukt från tillverkaren
Osram Opto Semiconductor