BPX81
Kvantitet
Enhetspris
1-4
23.31kr
5-49
20.04kr
50-99
18.04kr
100+
16.23kr
| +1416 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet! | |
| Föråldrad produkt, kommer snart att tas bort från katalogen. Sista tillgängliga varorna | |
| Antal i lager: 3 |
BPX81. Antal terminaler: 2. Avstängningsfördröjning tf [μsek.]: 6us. Dominant våglängd [nm]: 850nm. Driftstemperatur: -40...+80°C. Halv detekteringsvinkel δ 1/2 [°]: ±18°. Hölje: 2.4x2.4mm. Ic(puls): 200mA. Kapsling (JEDEC-standard): -. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 35V. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 32V. Kollektorström: 50mA. Komponentfamilj: fototransistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Max temperatur: +80°C.. Obs: fototransistor. RoHS: ja. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. Tillkopplingstid tr [μsek.]: 6us. Tr: 7us. Ytterbredd [mm]: 2.4mm. Ytterdiameter [mm]: -. Yttre längd [mm]: 2.4mm. Yttre tjocklek [mm]: 3.6mm. Originalprodukt från tillverkaren: Osram. Antal i lager uppdaterad den 14/11/2025, 00:30
BPX81
22 parametrar
Antal terminaler
2
Avstängningsfördröjning tf [μsek.]
6us
Dominant våglängd [nm]
850nm
Driftstemperatur
-40...+80°C
Halv detekteringsvinkel δ 1/2 [°]
±18°
Hölje
2.4x2.4mm
Ic(puls)
200mA
Kollektor-/emitterspänning Vceo
35V
Kollektor-emitterspänning Uceo [V]
32V
Kollektorström
50mA
Komponentfamilj
fototransistor
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Max temperatur
+80°C.
Obs
fototransistor
RoHS
ja
Samlarström Ic [A], max.
50mA
Tillkopplingstid tr [μsek.]
6us
Tr
7us
Ytterbredd [mm]
2.4mm
Yttre längd [mm]
2.4mm
Yttre tjocklek [mm]
3.6mm
Originalprodukt från tillverkaren
Osram