BPW96B

BPW96B

Kvantitet
Enhetspris
1-49
7.64kr
50+
6.31kr
Antal i lager: 2056

BPW96B. Antal terminaler: 2. Avstängningsfördröjning tf [μsek.]: 2.3us. Dominant våglängd [nm]: 850nm. Halv detekteringsvinkel δ 1/2 [°]: ±20°. Hölje: 5mm (T-1 3/4). Kapsling (JEDEC-standard): -. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 70V. Komponentfamilj: fototransistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Max temperatur: +100°C.. RoHS: ja. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. Tillkopplingstid tr [μsek.]: 2us. Ytterbredd [mm]: 5.75mm. Ytterdiameter [mm]: 5mm. Yttre längd [mm]: 8.6mm. Yttre tjocklek [mm]: 5.75mm. Originalprodukt från tillverkaren: Vishay (temic). Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 20:50

Teknisk dokumentation (PDF)
BPW96B
17 parametrar
Antal terminaler
2
Avstängningsfördröjning tf [μsek.]
2.3us
Dominant våglängd [nm]
850nm
Halv detekteringsvinkel δ 1/2 [°]
±20°
Hölje
5mm (T-1 3/4)
Kollektor-emitterspänning Uceo [V]
70V
Komponentfamilj
fototransistor
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Max temperatur
+100°C.
RoHS
ja
Samlarström Ic [A], max.
50mA
Tillkopplingstid tr [μsek.]
2us
Ytterbredd [mm]
5.75mm
Ytterdiameter [mm]
5mm
Yttre längd [mm]
8.6mm
Yttre tjocklek [mm]
5.75mm
Originalprodukt från tillverkaren
Vishay (temic)