BPW77NB

BPW77NB

Kvantitet
Enhetspris
1-24
59.06kr
25+
49.15kr
Antal i lager: 298

BPW77NB. Antal terminaler: 3. Avstängningsfördröjning tf [μsek.]: 5us. Dominant våglängd [nm]: 850nm. Halv detekteringsvinkel δ 1/2 [°]: ±10°. Hölje: TO-18. Kapsling (JEDEC-standard): -. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 70V. Komponentfamilj: fototransistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Max temperatur: +125°C.. RoHS: ja. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. Tillkopplingstid tr [μsek.]: 6us. Ytterbredd [mm]: 5.5mm. Ytterdiameter [mm]: 4.69mm. Yttre längd [mm]: 6.15mm. Yttre tjocklek [mm]: 5.5mm. Originalprodukt från tillverkaren: Vishay (temic). Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 20:50

Teknisk dokumentation (PDF)
BPW77NB
17 parametrar
Antal terminaler
3
Avstängningsfördröjning tf [μsek.]
5us
Dominant våglängd [nm]
850nm
Halv detekteringsvinkel δ 1/2 [°]
±10°
Hölje
TO-18
Kollektor-emitterspänning Uceo [V]
70V
Komponentfamilj
fototransistor
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Max temperatur
+125°C.
RoHS
ja
Samlarström Ic [A], max.
50mA
Tillkopplingstid tr [μsek.]
6us
Ytterbredd [mm]
5.5mm
Ytterdiameter [mm]
4.69mm
Yttre längd [mm]
6.15mm
Yttre tjocklek [mm]
5.5mm
Originalprodukt från tillverkaren
Vishay (temic)