BPW41N

BPW41N

Kvantitet
Enhetspris
1-4
10.32kr
5-24
8.82kr
25-49
7.80kr
50-99
7.17kr
100+
6.16kr
+9398 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 70

BPW41N. Antal terminaler: 2. Avstängningsfördröjning tf [μsek.]: 100 ns. Betraktningsvinkel: 130°. Detekteringsvinkel: 65°. Dominant våglängd [nm]: 950nm. Driftstemperatur: -55...+100°C. Funktion: Fotodiod på mottagarens sida. Gör ström, mörkström Ir [µA]: 30nA. Halv detekteringsvinkel δ 1/2 [°]: ±65°. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): -. Komponentfamilj: PIN-fotodiod. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Max temperatur: +100°C.. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mått: 7x4x3mm. Pd (effektförlust, max): 215mW. RoHS: ja. Stängningsspänning Ur[V], max.: 60V. Tf (typ): 100 ns. Tillkopplingstid tr [μsek.]: 100 ns. Vr: 60V. Våglängd (dominant): 950nm. Våglängd: 950nm. Ytterbredd [mm]: 4mm. Ytterdiameter [mm]: -. Yttre längd [mm]: 5mm. Yttre tjocklek [mm]: 6.8mm. Originalprodukt från tillverkaren: Vishay. Antal i lager uppdaterad den 14/11/2025, 00:30

Teknisk dokumentation (PDF)
BPW41N
27 parametrar
Antal terminaler
2
Avstängningsfördröjning tf [μsek.]
100 ns
Betraktningsvinkel
130°
Detekteringsvinkel
65°
Dominant våglängd [nm]
950nm
Driftstemperatur
-55...+100°C
Funktion
Fotodiod på mottagarens sida
Gör ström, mörkström Ir [µA]
30nA
Halv detekteringsvinkel δ 1/2 [°]
±65°
Hölje
TO-92
Komponentfamilj
PIN-fotodiod
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Max temperatur
+100°C.
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Mått
7x4x3mm
Pd (effektförlust, max)
215mW
RoHS
ja
Stängningsspänning Ur[V], max.
60V
Tf (typ)
100 ns
Tillkopplingstid tr [μsek.]
100 ns
Vr
60V
Våglängd (dominant)
950nm
Våglängd
950nm
Ytterbredd [mm]
4mm
Yttre längd [mm]
5mm
Yttre tjocklek [mm]
6.8mm
Originalprodukt från tillverkaren
Vishay