BPW34

BPW34

Kvantitet
Enhetspris
1-4
12.57kr
5-24
10.39kr
25-49
9.29kr
50-99
8.21kr
100+
6.11kr
+665 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 119

BPW34. Antal terminaler: 2. Antal terminaler: 2. Avstängningsfördröjning tf [μsek.]: 100 ns. Betraktningsvinkel: 130°. Central känslighet: 950nm. Detekteringsvinkel: 65°. Dominant våglängd [nm]: 900nm. Fotocelltyp: fotodiod IR PIN. Gör ström, mörkström Ir [µA]: 30nA. Halv detekteringsvinkel δ 1/2 [°]: ±65°. Hölje: 4.65x4.3mm. Kapsling (JEDEC-standard): -. Komponentfamilj: PIN-fotodiod. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Max temperatur: +100°C.. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mått: 3x3mm. Obs: tr/tf 100ns. Omvänd ström vid 1KLX: 50uA. RoHS: ja. Strömförsörjning: 60V. Stängningsspänning Ur[V], max.: 60V. Tillkopplingstid tr [μsek.]: 100 ns. Våglängd (dominant): 950nm. Våglängd: 900nm (600-1050nm). Ytterbredd [mm]: 4.3mm. Ytterdiameter [mm]: -. Yttre längd [mm]: 4.65mm. Yttre tjocklek [mm]: 2mm. Originalprodukt från tillverkaren: Vishay. Antal i lager uppdaterad den 14/11/2025, 00:30

Teknisk dokumentation (PDF)
BPW34
28 parametrar
Antal terminaler
2
Antal terminaler
2
Avstängningsfördröjning tf [μsek.]
100 ns
Betraktningsvinkel
130°
Central känslighet
950nm
Detekteringsvinkel
65°
Dominant våglängd [nm]
900nm
Fotocelltyp
fotodiod IR PIN
Gör ström, mörkström Ir [µA]
30nA
Halv detekteringsvinkel δ 1/2 [°]
±65°
Hölje
4.65x4.3mm
Komponentfamilj
PIN-fotodiod
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Max temperatur
+100°C.
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Mått
3x3mm
Obs
tr/tf 100ns
Omvänd ström vid 1KLX
50uA
RoHS
ja
Strömförsörjning
60V
Stängningsspänning Ur[V], max.
60V
Tillkopplingstid tr [μsek.]
100 ns
Våglängd (dominant)
950nm
Våglängd
900nm (600-1050nm)
Ytterbredd [mm]
4.3mm
Yttre längd [mm]
4.65mm
Yttre tjocklek [mm]
2mm
Originalprodukt från tillverkaren
Vishay