BPV11F
Kvantitet
Enhetspris
1-4
10.24kr
5-24
8.84kr
25-49
7.82kr
50-99
7.11kr
100+
6.10kr
| +1144 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet! | |
| Antal i lager: 148 |
BPV11F. Antal terminaler: 3. Avstängningsfördröjning tf [μsek.]: 5us. Detekteringsvinkel: 15°. Dominant våglängd [nm]: 930nm. Färg: infraröd. Halv detekteringsvinkel δ 1/2 [°]: ±15°. Hölje: 5mm (T-1 3/4). Kapsling (JEDEC-standard): -. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 70V. Komponentfamilj: fototransistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Max temperatur: +100°C.. Obs: 930nm 15°. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. Tillkopplingstid tr [μsek.]: 6us. Våglängd (dominant): 930nm. Våglängd: 950nm. Ytterbredd [mm]: 5.75mm. Ytterdiameter [mm]: 5mm. Yttre längd [mm]: 8.6mm. Yttre tjocklek [mm]: 5.75mm. Originalprodukt från tillverkaren: Vishay. Antal i lager uppdaterad den 15/02/2026, 12:52
BPV11F
21 parametrar
Antal terminaler
3
Avstängningsfördröjning tf [μsek.]
5us
Detekteringsvinkel
15°
Dominant våglängd [nm]
930nm
Färg
infraröd
Halv detekteringsvinkel δ 1/2 [°]
±15°
Hölje
5mm (T-1 3/4)
Kollektor-emitterspänning Uceo [V]
70V
Komponentfamilj
fototransistor
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Max temperatur
+100°C.
Obs
930nm 15°
Samlarström Ic [A], max.
50mA
Tillkopplingstid tr [μsek.]
6us
Våglängd (dominant)
930nm
Våglängd
950nm
Ytterbredd [mm]
5.75mm
Ytterdiameter [mm]
5mm
Yttre längd [mm]
8.6mm
Yttre tjocklek [mm]
5.75mm
Originalprodukt från tillverkaren
Vishay