BP103-4
Kvantitet
Enhetspris
1-24
38.91kr
25+
31.84kr
| Antal i lager: 602 |
BP103-4. Antal terminaler: 3. Avstängningsfördröjning tf [μsek.]: 9us. Dominant våglängd [nm]: 850nm. Halv detekteringsvinkel δ 1/2 [°]: ±55°. Hölje: TO-18. Kapsling (JEDEC-standard): -. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V. Komponentfamilj: fototransistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Max temperatur: +80°C.. RoHS: ja. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Tillkopplingstid tr [μsek.]: 9us. Ytterbredd [mm]: 5.5mm. Ytterdiameter [mm]: 4.3mm. Yttre längd [mm]: 5.5mm. Yttre tjocklek [mm]: 3.6mm. Originalprodukt från tillverkaren: Osram Opto Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 20:50
BP103-4
17 parametrar
Antal terminaler
3
Avstängningsfördröjning tf [μsek.]
9us
Dominant våglängd [nm]
850nm
Halv detekteringsvinkel δ 1/2 [°]
±55°
Hölje
TO-18
Kollektor-emitterspänning Uceo [V]
50V
Komponentfamilj
fototransistor
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Max temperatur
+80°C.
RoHS
ja
Samlarström Ic [A], max.
100mA
Tillkopplingstid tr [μsek.]
9us
Ytterbredd [mm]
5.5mm
Ytterdiameter [mm]
4.3mm
Yttre längd [mm]
5.5mm
Yttre tjocklek [mm]
3.6mm
Originalprodukt från tillverkaren
Osram Opto Semiconductor