Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 4.67kr | 5.84kr |
5 - 9 | 4.44kr | 5.55kr |
10 - 24 | 4.20kr | 5.25kr |
25 - 49 | 3.97kr | 4.96kr |
50 - 99 | 5.13kr | 6.41kr |
100 - 249 | 5.65kr | 7.06kr |
250 - 512 | 6.11kr | 7.64kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 4.67kr | 5.84kr |
5 - 9 | 4.44kr | 5.55kr |
10 - 24 | 4.20kr | 5.25kr |
25 - 49 | 3.97kr | 4.96kr |
50 - 99 | 5.13kr | 6.41kr |
100 - 249 | 5.65kr | 7.06kr |
250 - 512 | 6.11kr | 7.64kr |
4N35M. CTR: 40...100 %. Diod IF: 100mA. Courant IF-diod (topp): 3A. Diod Power: 150mW. Diod tröskelspänning: 1.18V. Utgång: transistorutgång med bas. Tonhöjd: 7.62mm. Pd (effektförlust, max): 150mW. RoHS: ja. Tonhöjd: 7.56mm. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf (typ): 2us. Hölje: DIP. Hölje (enligt datablad): DIP-6. Tr: 2us. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. VECO: 10V. VRRM: 5300V. Antal terminaler: 6. Antal i lager uppdaterad den 12/01/2025, 13:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.