4N35
| +2098 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet! | |
| Antal i lager: 268 |
4N35. Antal kanaler: 1. Antal kretsar: 1. Antal terminaler: 6. Antal terminaler: 6. Avstängningsfördröjning tf [μsek.]: 10us. CTR: 100 %. Ctr@om: 20%@10mA. 100%@10mA. Diod IF: 60mA. Diod tröskelspänning: 1.2V. Driftstemperatur: -55...+100°C. Halvledartyp: Optokopplare. Hastighet: 100 %. Hölje (enligt datablad): DIP-6. Hölje: DIP. Information: n/a. Isolationsspänning Uiso [kV]: 5 kV. Isoleringsspänning: 2kV, 3.55kV. Kapsling (JEDEC-standard): -. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Kollektorström: 100mA. Komponentfamilj: Optokopplare. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Max temperatur: +100°C.. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Nuvarande överföringsförhållande CTR: 100%. Omkopplingstid: 3us. Output CurrentmA: 100mA. RoHS: ja. Serie: n/a. Spänning (Collector - Emitter): 30V. Tillkopplingstid tr [μsek.]: 10us. Typ av ingång: Infraröd LED. Typ av optokopplare: optokopplare för allmänt bruk. Typ: transistorutgång. Utgång: transistorutgång med bas. Utgångstyp: transistor. VRRM: 5300V. Vcbo: 70V. [V]: 70V. [nuvarande MA]: 10mA. Originalprodukt från tillverkaren: Lite-on. Antal i lager uppdaterad den 14/11/2025, 00:30