ZY8-2, DO-41, DO-204AC, 2W, 8.2V, DO-41 ( 2.6x5.1mm ), 2W, 8.2V

ZY8-2, DO-41, DO-204AC, 2W, 8.2V, DO-41 ( 2.6x5.1mm ), 2W, 8.2V

Kvantitet
Enhetspris
5-49
1.19kr
50-99
1.07kr
100+
0.94kr
+4081 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 190
Minimum: 5

ZY8-2, DO-41, DO-204AC, 2W, 8.2V, DO-41 ( 2.6x5.1mm ), 2W, 8.2V. Hölje: DO-41. Kapsling (JEDEC-standard): DO-204AC. Pd (effektförlust, max): 2W. Zenergenomslagsspänning Uz [V], nom.: 8.2V. Hölje (enligt datablad): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Maximal förlust Ptot [W]: 2W. Zenerspänning: 8.2V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 2. Antal terminaler: 2. Dielektrisk struktur: Anod-katod. Diod typ: zenerdiod. Driftstemperatur: -50...+150°C. Effekt: 2W. Förpackning: Ammo Pack. Halvledarmaterial: kisel. Halvledarstruktur: diod. Komponentfamilj: Zenerdiod, effekt 2W (25°C), 5%, ZY-serien. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Läckström vid stängning Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 3.5V. Max temperatur: +150°C.. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. RoHS: ja. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Teknik: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerans: 5%. VRRM: 8.2V. Zenerimpedans Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 1 Ohms @ 100mA. Zenerström: 230mA. Originalprodukt från tillverkaren: Diodes Inc. Minsta kvantitet: 5. Antal i lager uppdaterad den 21/11/2025, 14:20

Teknisk dokumentation (PDF)
ZY8-2
31 parametrar
Hölje
DO-41
Kapsling (JEDEC-standard)
DO-204AC
Pd (effektförlust, max)
2W
Zenergenomslagsspänning Uz [V], nom.
8.2V
Hölje (enligt datablad)
DO-41 ( 2.6x5.1mm )
Maximal förlust Ptot [W]
2W
Zenerspänning
8.2V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
2
Antal terminaler
2
Dielektrisk struktur
Anod-katod
Diod typ
zenerdiod
Driftstemperatur
-50...+150°C
Effekt
2W
Förpackning
Ammo Pack
Halvledarmaterial
kisel
Halvledarstruktur
diod
Komponentfamilj
Zenerdiod, effekt 2W (25°C), 5%, ZY-serien
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Läckström vid stängning Ir [A] @ Ur [V]
1uA @ 3.5V
Max temperatur
+150°C.
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
RoHS
ja
Spec info
60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation
Teknik
Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology)
Tolerans
5%
VRRM
8.2V
Zenerimpedans Zzt[Ohm] @ Iz[A]
1 Ohms @ 100mA
Zenerström
230mA
Originalprodukt från tillverkaren
Diodes Inc
Minsta kvantitet
5