TPS2812P
Kvantitet
Enhetspris
1-4
48.80kr
5-24
43.18kr
25-49
39.00kr
50+
35.29kr
| +19 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet! | |
| Antal i lager: 10 |
TPS2812P. Antal kretsar: 2. Antal terminaler: 8. Antal terminaler: 8. Driftstemperatur: -40...+85°C. Hölje (enligt datablad): DIP-8. Hölje: DIP. Kapsling (JEDEC-standard): -. Komponentfamilj: MOSFET/IGBT drivkrets. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Max temperatur: +125°C.. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. RoHS: ja. Typ av kretsar: MOSFET/IGBT drivkrets. [V]: +14V/40V. Originalprodukt från tillverkaren: Texas Instruments. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 19:23
TPS2812P
14 parametrar
Antal kretsar
2
Antal terminaler
8
Antal terminaler
8
Driftstemperatur
-40...+85°C
Hölje (enligt datablad)
DIP-8
Hölje
DIP
Komponentfamilj
MOSFET/IGBT drivkrets
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Max temperatur
+125°C.
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
RoHS
ja
Typ av kretsar
MOSFET/IGBT drivkrets
[V]
+14V/40V
Originalprodukt från tillverkaren
Texas Instruments