TLP185GR
Kvantitet
Enhetspris
1-4
5.92kr
5-24
4.85kr
25-49
4.21kr
50-99
3.88kr
100+
3.23kr
| Antal i lager: 96 |
TLP185GR. Antal terminaler: 4. CTR: 100...400 %. Courant IF-diod (topp): 1A. Diod IF: 50mA. Diod tröskelspänning: 1.25V. Driftstemperatur: -55...+100°C. Funktion: GaAs Ired & Photo-Transistor. Hölje (enligt datablad): 11-4M1S. Hölje: SO. Ic(puls): 1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Kollektorström: 50mA. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: P185GB. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Pd (effektförlust, max): 150mW. RoHS: ja. Tf (typ): 9us. Tr: 5us. Utgång: transistorutgång. VECO: 7V. VRRM: 3750V. Originalprodukt från tillverkaren: Toshiba. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 15:50
TLP185GR
23 parametrar
Antal terminaler
4
CTR
100...400 %
Courant IF-diod (topp)
1A
Diod IF
50mA
Diod tröskelspänning
1.25V
Driftstemperatur
-55...+100°C
Funktion
GaAs Ired & Photo-Transistor
Hölje (enligt datablad)
11-4M1S
Hölje
SO
Ic(puls)
1A
Kollektor-/emitterspänning Vceo
80V
Kollektorström
50mA
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Märkning på höljet
P185GB
Mättnadsspänning VCE(lat)
0.2V
Pd (effektförlust, max)
150mW
RoHS
ja
Tf (typ)
9us
Tr
5us
Utgång
transistorutgång
VECO
7V
VRRM
3750V
Originalprodukt från tillverkaren
Toshiba