TLP185-GB-SE-T. Antal terminaler: 4. CTR: 100...400 %. Courant IF-diod (topp): 1A. Diod IF: 50mA. Diod tröskelspänning: 1.25V. Driftstemperatur: -55...+100°C. Funktion: GaAs Ired & Photo-Transistor. Hölje (enligt datablad): 11-4M1S. Hölje: SO. Ic(puls): 1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Kollektorström: 50mA. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: P185GB. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Pd (effektförlust, max): 150mW. RoHS: ja. Tf (typ): 9us. Tr: 5us. Utgång: transistorutgång. VECO: 7V. VRRM: 3750V. Originalprodukt från tillverkaren: Toshiba. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 15:50