SMBJ36A. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 2. Antal terminaler: 2. Dielektrisk struktur: Anod-katod. Diod typ: TVS. Driftstemperatur: -65...+150°C. Effekt: 600W. Egenskaper för halvledare: Glass passivated. Framspänning Vf (min): 3.5V. Funktion: skydd mot överspänning. Fördelningsspänning: 36V. Halvledarmaterial: kisel. Halvledarstruktur: enkelriktad. Hölje (enligt datablad): SMC DO214AB ( 5.2x3.6mm ). Hölje: DO-214. IFSM: 100A. Komponentfamilj: transient dämpningsdiod. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Läckström vid stängning Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 36V. Läckström: 1uA. Max omvänd spänning: 36V. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust (puls) Pp [W] @ t[msec.]: 600W @ 1ms. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 600W. Pulsström max.: 10.3A. RoHS: ja. Spec info: Ppk--600W t=1ms, IFSM--100Ap t=8.3ms. Stäng riktningshållspänning [V]: 36V. Tolerans: 5%. Transient suppressor typ: enkelriktad. Tröskelspänning Vf (max): 5V. Ubr [V] @ Ibr [A]: 44.2V @ 1mA. VRRM: 36V. Originalprodukt från tillverkaren: Taiwan Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 15:00