LTV817B
| +2976 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet! | |
| Antal i lager: 26 |
LTV817B. Antal kretsar: 1. Antal terminaler: 4. Antal terminaler: 4. Avstängningsfördröjning tf [μsek.]: 18us. Hastighet: 130 %. Hölje (enligt datablad): DIP-4. Hölje: DIP. Isolationsspänning Uiso [kV]: 5 kV. Kapsling (JEDEC-standard): -. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 35V. Komponentfamilj: Optokopplare. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Max temperatur: +110°C.. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Obs: Vceo 35V. RoHS: ja. Tillkopplingstid tr [μsek.]: 18us. Typ av ingång: Infraröd LED. Typ av optokopplare: optokopplare för allmänt bruk. Utgång: transistorutgång. Utgångstyp: NPN-transistor. [V]: 35V. [nuvarande MA]: 5mA. Originalprodukt från tillverkaren: Lite-on. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 19:21