L6384ED
Kvantitet
Enhetspris
1-4
26.00kr
5-24
23.25kr
25-49
21.37kr
50-99
20.10kr
100+
18.79kr
| +77 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet! | |
| Antal i lager: 79 |
L6384ED. Antal kretsar: 1. Antal terminaler: 8. Antal terminaler: 8. Driftstemperatur: -45...+125°C. Ekvivalenta: L6384ED013TR. Funktion: "Dual High Voltage Half Bridge Driver". Hölje (enligt datablad): SO-8. Hölje: SO. Kapsling (JEDEC-standard): -. Komponentfamilj: MOSFET/IGBT drivkrets. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Max temperatur: +125°C.. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Obs: Stilla ström 100uA. Pd (effektförlust, max): 750mW. RoHS: ja. Spec info: förbättrad version av L6384D. Typ av kretsar: Halvbrygga MOSFET/IGBT-drivkrets. VCC: 0.3...14.6V. [V]: +16.6V/600V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 13:35
L6384ED
20 parametrar
Antal kretsar
1
Antal terminaler
8
Antal terminaler
8
Driftstemperatur
-45...+125°C
Ekvivalenta
L6384ED013TR
Funktion
"Dual High Voltage Half Bridge Driver"
Hölje (enligt datablad)
SO-8
Hölje
SO
Komponentfamilj
MOSFET/IGBT drivkrets
Konfiguration
ytmonterad komponent (SMD)
Max temperatur
+125°C.
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Obs
Stilla ström 100uA
Pd (effektförlust, max)
750mW
RoHS
ja
Spec info
förbättrad version av L6384D
Typ av kretsar
Halvbrygga MOSFET/IGBT-drivkrets
VCC
0.3...14.6V
[V]
+16.6V/600V
Originalprodukt från tillverkaren
Stmicroelectronics