DSEP30-12A, TO-247, TO-247AD, 30A, 30A, 200A, TO-247AD, 1200V

DSEP30-12A, TO-247, TO-247AD, 30A, 30A, 200A, TO-247AD, 1200V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
104.03kr
5-9
96.32kr
10-24
87.00kr
25+
78.71kr
+38 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 35

DSEP30-12A, TO-247, TO-247AD, 30A, 30A, 200A, TO-247AD, 1200V. Hölje: TO-247. Kapsling (JEDEC-standard): TO-247AD. Framåtström [A]: 30A. Framåtström (AV): 30A. IFSM: 200A. Hölje (enligt datablad): TO-247AD. VRRM: 1200V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 2. Antal terminaler: 2. Dielektrisk struktur: Anod-katod. Driftstemperatur: -55...+175°C. Framspänning Vf (min): 1.78V. Funktion: Diod "mjuk återhämtning". Halvledarmaterial: kisel. Ifsm [A]: 200A. Komponentfamilj: Snabb likriktardiod (tr<500ns). Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Läckström vid stängning Ir [A]: 250uA..1mA. MRT (max): 1mA. MRT (min): 250uA. Max temperatur: +175°C.. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Omkopplingshastighet (regenereringstid) tr [sek.]: 40 ns. Pd (effektförlust, max): 165W. RoHS: ja. Slutspänning (repetitiv) Vrrm [V]: 1.2 kV. Spec info: 200Ap t=10ms, TVJ=45°C. Teknik: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Trr-diod (Min.): 40 ns. Tröskelspänning Vf (max): 2.74V. [V]: 2.74V @ 30A. Originalprodukt från tillverkaren: IXYS. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 13:03

Teknisk dokumentation (PDF)
DSEP30-12A
35 parametrar
Hölje
TO-247
Kapsling (JEDEC-standard)
TO-247AD
Framåtström [A]
30A
Framåtström (AV)
30A
IFSM
200A
Hölje (enligt datablad)
TO-247AD
VRRM
1200V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
2
Antal terminaler
2
Dielektrisk struktur
Anod-katod
Driftstemperatur
-55...+175°C
Framspänning Vf (min)
1.78V
Funktion
Diod "mjuk återhämtning"
Halvledarmaterial
kisel
Ifsm [A]
200A
Komponentfamilj
Snabb likriktardiod (tr<500ns)
Konditionering
plaströr
Konditioneringsenhet
30
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Läckström vid stängning Ir [A]
250uA..1mA
MRT (max)
1mA
MRT (min)
250uA
Max temperatur
+175°C.
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Omkopplingshastighet (regenereringstid) tr [sek.]
40 ns
Pd (effektförlust, max)
165W
RoHS
ja
Slutspänning (repetitiv) Vrrm [V]
1.2 kV
Spec info
200Ap t=10ms, TVJ=45°C
Teknik
HiPerFREDTM Epitaxial Diode
Trr-diod (Min.)
40 ns
Tröskelspänning Vf (max)
2.74V
[V]
2.74V @ 30A
Originalprodukt från tillverkaren
IXYS