DSEI30-12A, TO-247, TO-247AD, 26A, 28A, 200A, TO-247AD, 1200V

DSEI30-12A, TO-247, TO-247AD, 26A, 28A, 200A, TO-247AD, 1200V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
67.32kr
5-14
59.49kr
15-29
54.01kr
30-59
50.10kr
60+
44.03kr
+13 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 66

DSEI30-12A, TO-247, TO-247AD, 26A, 28A, 200A, TO-247AD, 1200V. Hölje: TO-247. Kapsling (JEDEC-standard): TO-247AD. Framåtström [A]: 26A. Framåtström (AV): 28A. IFSM: 200A. Hölje (enligt datablad): TO-247AD. VRRM: 1200V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 2. Antal terminaler: 2. Dielektrisk struktur: Anod-katod. Driftstemperatur: -40...+150°C. Framspänning Vf (min): 2.2V. Funktion: "Snabb återhämtning". Halvledarmaterial: kisel. Ifsm [A]: 210A. Komponentfamilj: Snabb likriktardiod (tr<500ns). Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Läckström vid stängning Ir [A]: 0.75mA..7mA. Max temperatur: +150°C.. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Omkopplingshastighet (regenereringstid) tr [sek.]: 60 ns. Pd (effektförlust, max): 138W. RoHS: ja. Slutspänning (repetitiv) Vrrm [V]: 1.2 kV. Spec info: 375Ap t=10ms, TVJ=150°C. Teknik: "Epitaxial diod". Trr-diod (Min.): 40 ns. Tröskelspänning Vf (max): 2.55V. [V]: 2.55V @ 30A. Originalprodukt från tillverkaren: IXYS. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 11:43

Teknisk dokumentation (PDF)
DSEI30-12A
33 parametrar
Hölje
TO-247
Kapsling (JEDEC-standard)
TO-247AD
Framåtström [A]
26A
Framåtström (AV)
28A
IFSM
200A
Hölje (enligt datablad)
TO-247AD
VRRM
1200V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
2
Antal terminaler
2
Dielektrisk struktur
Anod-katod
Driftstemperatur
-40...+150°C
Framspänning Vf (min)
2.2V
Funktion
"Snabb återhämtning"
Halvledarmaterial
kisel
Ifsm [A]
210A
Komponentfamilj
Snabb likriktardiod (tr<500ns)
Konditionering
plaströr
Konditioneringsenhet
30
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Läckström vid stängning Ir [A]
0.75mA..7mA
Max temperatur
+150°C.
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Omkopplingshastighet (regenereringstid) tr [sek.]
60 ns
Pd (effektförlust, max)
138W
RoHS
ja
Slutspänning (repetitiv) Vrrm [V]
1.2 kV
Spec info
375Ap t=10ms, TVJ=150°C
Teknik
"Epitaxial diod"
Trr-diod (Min.)
40 ns
Tröskelspänning Vf (max)
2.55V
[V]
2.55V @ 30A
Originalprodukt från tillverkaren
IXYS