DSEI30-10A, TO-247, TO-247AD, 30A, 37A, 375A, TO-247AD, 1000V

DSEI30-10A, TO-247, TO-247AD, 30A, 37A, 375A, TO-247AD, 1000V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
70.06kr
5-14
62.28kr
15-29
57.21kr
30-59
53.34kr
60+
47.24kr
+10 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 31

DSEI30-10A, TO-247, TO-247AD, 30A, 37A, 375A, TO-247AD, 1000V. Hölje: TO-247. Kapsling (JEDEC-standard): TO-247AD. Framåtström [A]: 30A. Framåtström (AV): 37A. IFSM: 375A. Hölje (enligt datablad): TO-247AD. VRRM: 1000V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 2. Antal terminaler: 2. Dielektrisk struktur: Anod-katod. Driftstemperatur: -40...+150°C. Framspänning Vf (min): 2V. Funktion: "Snabb återhämtning". Halvledarmaterial: kisel. Ifsm [A]: 210A. Komponentfamilj: Silikonlikriktardiod. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Läckström vid stängning Ir [A]: 0.75mA..7mA. Max temperatur: +150°C.. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Omkopplingshastighet (regenereringstid) tr [sek.]: 50 ns. Pd (effektförlust, max): 138W. RoHS: ja. Slutspänning (repetitiv) Vrrm [V]: 1 kV. Spec info: 375Ap t=10ms, TVJ=150°C. Teknik: "Epitaxial diod". Trr-diod (Min.): 35 ns. Tröskelspänning Vf (max): 2.4V. [V]: 2.4V @ 36A. Originalprodukt från tillverkaren: IXYS. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 11:43

Teknisk dokumentation (PDF)
DSEI30-10A
33 parametrar
Hölje
TO-247
Kapsling (JEDEC-standard)
TO-247AD
Framåtström [A]
30A
Framåtström (AV)
37A
IFSM
375A
Hölje (enligt datablad)
TO-247AD
VRRM
1000V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
2
Antal terminaler
2
Dielektrisk struktur
Anod-katod
Driftstemperatur
-40...+150°C
Framspänning Vf (min)
2V
Funktion
"Snabb återhämtning"
Halvledarmaterial
kisel
Ifsm [A]
210A
Komponentfamilj
Silikonlikriktardiod
Konditionering
plaströr
Konditioneringsenhet
30
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Läckström vid stängning Ir [A]
0.75mA..7mA
Max temperatur
+150°C.
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Omkopplingshastighet (regenereringstid) tr [sek.]
50 ns
Pd (effektförlust, max)
138W
RoHS
ja
Slutspänning (repetitiv) Vrrm [V]
1 kV
Spec info
375Ap t=10ms, TVJ=150°C
Teknik
"Epitaxial diod"
Trr-diod (Min.)
35 ns
Tröskelspänning Vf (max)
2.4V
[V]
2.4V @ 36A
Originalprodukt från tillverkaren
IXYS