DSEI2X121-02A, ISOTOP ( SOT227B ), 2x123A, 2x123A, 1200A, ISOTOP ( SOT227B ), 200V

DSEI2X121-02A, ISOTOP ( SOT227B ), 2x123A, 2x123A, 1200A, ISOTOP ( SOT227B ), 200V

Kvantitet
Enhetspris
1-1
646.71kr
2-3
606.99kr
4-5
575.50kr
6-9
548.60kr
10+
511.91kr
+5 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 2

DSEI2X121-02A, ISOTOP ( SOT227B ), 2x123A, 2x123A, 1200A, ISOTOP ( SOT227B ), 200V. Hölje: ISOTOP ( SOT227B ). Kapsling (JEDEC-standard): -. Framåtström [A]: 2x123A. Framåtström (AV): 2x123A. IFSM: 1200A. Hölje (enligt datablad): ISOTOP ( SOT227B ). VRRM: 200V. Antal per fodral: 2. Antal terminaler: 4. Antal terminaler: 4. Dielektrisk struktur: Anod-katod. Driftstemperatur: -40...+150°C. Framspänning Vf (min): 0.89V. Funktion: dubbla snabbåterställningsdioder. Halvledarmaterial: kisel. Ifsm [A]: 1200A. Komponentfamilj: Silikonlikriktardiod. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 10. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Läckström vid stängning Ir [A]: 1mA..20mA. MRT (max): 20mA. MRT (min): 1mA. Max temperatur: +150°C.. Montering/installation: skruv. Omkopplingshastighet (regenereringstid) tr [sek.]: 50 ns. Pd (effektförlust, max): 357W. RoHS: ja. Slutspänning (repetitiv) Vrrm [V]: 200V. Spec info: 1080Ap t=10ms, TVJ=150°C. Teknik: "Epitaxial diod". Trr-diod (Min.): 35 ns. Tröskelspänning Vf (max): 1.1V. [V]: 1.1V @ 120A. Originalprodukt från tillverkaren: IXYS. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 11:43

Teknisk dokumentation (PDF)
DSEI2X121-02A
34 parametrar
Hölje
ISOTOP ( SOT227B )
Framåtström [A]
2x123A
Framåtström (AV)
2x123A
IFSM
1200A
Hölje (enligt datablad)
ISOTOP ( SOT227B )
VRRM
200V
Antal per fodral
2
Antal terminaler
4
Antal terminaler
4
Dielektrisk struktur
Anod-katod
Driftstemperatur
-40...+150°C
Framspänning Vf (min)
0.89V
Funktion
dubbla snabbåterställningsdioder
Halvledarmaterial
kisel
Ifsm [A]
1200A
Komponentfamilj
Silikonlikriktardiod
Konditionering
plaströr
Konditioneringsenhet
10
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Läckström vid stängning Ir [A]
1mA..20mA
MRT (max)
20mA
MRT (min)
1mA
Max temperatur
+150°C.
Montering/installation
skruv
Omkopplingshastighet (regenereringstid) tr [sek.]
50 ns
Pd (effektförlust, max)
357W
RoHS
ja
Slutspänning (repetitiv) Vrrm [V]
200V
Spec info
1080Ap t=10ms, TVJ=150°C
Teknik
"Epitaxial diod"
Trr-diod (Min.)
35 ns
Tröskelspänning Vf (max)
1.1V
[V]
1.1V @ 120A
Originalprodukt från tillverkaren
IXYS