CNY75GB

CNY75GB

Kvantitet
Enhetspris
1-4
6.66kr
5-24
5.72kr
25-49
5.11kr
50-99
4.61kr
100+
3.85kr
Antal i lager: 68

CNY75GB. Antal terminaler: 6. CTR: 100...200 %. Courant IF-diod (topp): 3A. Diod IF: 60mA. Diod Power: 70mW. Diod tröskelspänning: 1.25V. Driftstemperatur: -55...+110°C. Funktion: Fototransistorutgång, med basanslutning. Hölje (enligt datablad): DIP-6. Hölje: DIP. Ic(puls): 100mA. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 70V. Kollektorström: 50mA. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Pd (effektförlust, max): 70mW. RoHS: ja. Tf (typ): 4.7us. Tonhöjd: 10.16mm. Tr: 4.2us. Utgång: transistorutgång med bas. VECO: 7V. VRRM: 6000V. Vcbo: 70V. Originalprodukt från tillverkaren: Vishay. Antal i lager uppdaterad den 14/11/2025, 00:30

Teknisk dokumentation (PDF)
CNY75GB
25 parametrar
Antal terminaler
6
CTR
100...200 %
Courant IF-diod (topp)
3A
Diod IF
60mA
Diod Power
70mW
Diod tröskelspänning
1.25V
Driftstemperatur
-55...+110°C
Funktion
Fototransistorutgång, med basanslutning
Hölje (enligt datablad)
DIP-6
Hölje
DIP
Ic(puls)
100mA
Kollektor-/emitterspänning Vceo
70V
Kollektorström
50mA
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
0.3V
Pd (effektförlust, max)
70mW
RoHS
ja
Tf (typ)
4.7us
Tonhöjd
10.16mm
Tr
4.2us
Utgång
transistorutgång med bas
VECO
7V
VRRM
6000V
Vcbo
70V
Originalprodukt från tillverkaren
Vishay