BAW56W, SOT-323, 200mA, 0.15A, 1A, SOT323, 85V

BAW56W, SOT-323, 200mA, 0.15A, 1A, SOT323, 85V

Kvantitet
Enhetspris
10-49
0.26kr
50-99
0.22kr
100+
0.18kr
+1446 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 2527
Minimum: 10

BAW56W, SOT-323, 200mA, 0.15A, 1A, SOT323, 85V. Hölje: SOT-323. Kapsling (JEDEC-standard): -. Framåtström (AV): 200mA. Framåtström [A]: 0.15A. IFSM: 1A. Hölje (enligt datablad): SOT323. VRRM: 85V. Antal per fodral: 2. Antal terminaler: 2. Antal terminaler: 3. Cj: 2pF. Dielektrisk struktur: gemensam anod. Framspänning Vf (min): 0.715V. Funktion: Ultra High Speed Switching. Halvledarmaterial: kisel. Ifsm [A]: 4A. Komponentfamilj: dubbla småsignalsdioder, Ytmontering (SMD). Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Läckström vid stängning Ir [A]: 30nA..150uA. MRT (max): 50uA. MRT (min): 0.15uA. Max temperatur: +150°C.. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: A1. Obs: screentryck/SMD-kod A1. Omkopplingshastighet (regenereringstid) tr [sek.]: 4 ns. RoHS: ja. Slutspänning (repetitiv) Vrrm [V]: 90V. Spec info: Ifsm--4.5A t=1us, 1A t=1ms. Temperatur: +150°C. Trr-diod (Min.): 4 ns. Tröskelspänning Vf (max): 1.25V. [V]: 0.855V @ 10mA. Originalprodukt från tillverkaren: Philips Semiconductors. Minsta kvantitet: 10. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 18:01

Teknisk dokumentation (PDF)
BAW56W
34 parametrar
Hölje
SOT-323
Framåtström (AV)
200mA
Framåtström [A]
0.15A
IFSM
1A
Hölje (enligt datablad)
SOT323
VRRM
85V
Antal per fodral
2
Antal terminaler
2
Antal terminaler
3
Cj
2pF
Dielektrisk struktur
gemensam anod
Framspänning Vf (min)
0.715V
Funktion
Ultra High Speed Switching
Halvledarmaterial
kisel
Ifsm [A]
4A
Komponentfamilj
dubbla småsignalsdioder, Ytmontering (SMD)
Konfiguration
ytmonterad komponent (SMD)
Läckström vid stängning Ir [A]
30nA..150uA
MRT (max)
50uA
MRT (min)
0.15uA
Max temperatur
+150°C.
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Märkning på höljet
A1
Obs
screentryck/SMD-kod A1
Omkopplingshastighet (regenereringstid) tr [sek.]
4 ns
RoHS
ja
Slutspänning (repetitiv) Vrrm [V]
90V
Spec info
Ifsm--4.5A t=1us, 1A t=1ms
Temperatur
+150°C
Trr-diod (Min.)
4 ns
Tröskelspänning Vf (max)
1.25V
[V]
0.855V @ 10mA
Originalprodukt från tillverkaren
Philips Semiconductors
Minsta kvantitet
10