BAV70, SOT-23 ( TO-236 ), TO-236AB, 215mA, 0.215A, 450mA, SOT-23 ( TO236 ), 100V. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Kapsling (JEDEC-standard): TO-236AB. Framåtström (AV): 215mA. Framåtström [A]: 0.215A. IFSM: 450mA. Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 100V. Antal per fodral: 2. Antal terminaler: 3. Antal terminaler: 3. Cj: 1.5pF. Dielektrisk struktur: Vanlig katod. Diod typ: växlingsdiod. Driftstemperatur: -65...+150°C. Effekt: 350mW. Egenskaper för halvledare: Super Fast Switching. Framspänning Vf (min): 715mV. Funktion: Snabb växlingshastighet. Halvledarmaterial: kisel. Halvledartyp: diod. Ifsm [A]: 1A. Komponentfamilj: dubbla småsignalsdioder, Ytmontering (SMD). Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Ledningsspänning (tröskelspänning): 1.25V. Läckström vid stängning Ir [A]: 150nA..50uA. MRT (max): 100uA. MRT (min): 30nA. Max omvänd spänning: 100V, 70V. Max temperatur: +150°C.. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: A4W. Obs: screentryck/SMD-kod A4p_A4t_A4w. Omkopplingshastighet (regenereringstid) tr [sek.]: 4 ns. Pulsström max.: 2A. Reaktionstid: 4ns, 6ns. RoHS: ja. Slutspänning (repetitiv) Vrrm [V]: 70V. Spec info: Ifsm--4A t=1us, 1A t=1ms. Trr-diod (Min.): 4 ns. Tröskelspänning Vf (max): 1.25V. Tröskelspänning: 1V. [V]: 0.855V @ 10mA. Originalprodukt från tillverkaren: Nxp Semiconductors. Minsta kvantitet: 10. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 08:15