BAV199, SOT-23 ( TO-236 ), TO-236AB, 0.16A, 200mA, 500mA, SOT-23 ( TO236 ), 85V

BAV199, SOT-23 ( TO-236 ), TO-236AB, 0.16A, 200mA, 500mA, SOT-23 ( TO236 ), 85V

Kvantitet
Enhetspris
10-49
0.70kr
50-99
0.61kr
100-199
0.55kr
200+
0.47kr
+41975 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 7862
Minimum: 10

BAV199, SOT-23 ( TO-236 ), TO-236AB, 0.16A, 200mA, 500mA, SOT-23 ( TO236 ), 85V. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Kapsling (JEDEC-standard): TO-236AB. Framåtström [A]: 0.16A. Framåtström (AV): 200mA. IFSM: 500mA. Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 85V. Antal per fodral: 2. Antal terminaler: 3. Antal terminaler: 3. Cj: 2pF. Dielektrisk struktur: Vanlig anod-katod (mittpunkt). Framspänning Vf (min): 0.9V. Funktion: dubbla lågläckagedioder. Halvledarmaterial: kisel. Ifsm [A]: 2A. Komponentfamilj: dubbla småsignalsdioder, Ytmontering (SMD). Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Läckström vid stängning Ir [A]: 5nA...80nA. MRT (max): 80nA. MRT (min): 5nA. Max temperatur: +150°C.. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: JYs. Omkopplingshastighet (regenereringstid) tr [sek.]: 3us. Produktionsdatum: 2014/49. RoHS: ja. Slutspänning (repetitiv) Vrrm [V]: 85V. Spec info: IFSM--4.5A (tp=1us), 0.5A (tp=1s). Temperatur: +150°C. Trr-diod (Min.): 0.6us. Tröskelspänning Vf (max): 1.25V. [V]: 1V @ 10mA. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon Technologies. Minsta kvantitet: 10. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 08:15

Teknisk dokumentation (PDF)
BAV199
35 parametrar
Hölje
SOT-23 ( TO-236 )
Kapsling (JEDEC-standard)
TO-236AB
Framåtström [A]
0.16A
Framåtström (AV)
200mA
IFSM
500mA
Hölje (enligt datablad)
SOT-23 ( TO236 )
VRRM
85V
Antal per fodral
2
Antal terminaler
3
Antal terminaler
3
Cj
2pF
Dielektrisk struktur
Vanlig anod-katod (mittpunkt)
Framspänning Vf (min)
0.9V
Funktion
dubbla lågläckagedioder
Halvledarmaterial
kisel
Ifsm [A]
2A
Komponentfamilj
dubbla småsignalsdioder, Ytmontering (SMD)
Konfiguration
ytmonterad komponent (SMD)
Läckström vid stängning Ir [A]
5nA...80nA
MRT (max)
80nA
MRT (min)
5nA
Max temperatur
+150°C.
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Märkning på höljet
JYs
Omkopplingshastighet (regenereringstid) tr [sek.]
3us
Produktionsdatum
2014/49
RoHS
ja
Slutspänning (repetitiv) Vrrm [V]
85V
Spec info
IFSM--4.5A (tp=1us), 0.5A (tp=1s)
Temperatur
+150°C
Trr-diod (Min.)
0.6us
Tröskelspänning Vf (max)
1.25V
[V]
1V @ 10mA
Originalprodukt från tillverkaren
Infineon Technologies
Minsta kvantitet
10