BAT54A-215, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 0.2A, 600mA, SOT-23 ( TO236 ), 30 v

BAT54A-215, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 0.2A, 600mA, SOT-23 ( TO236 ), 30 v

Kvantitet
Enhetspris
10-49
0.48kr
50-99
0.43kr
100-199
0.37kr
200+
0.33kr
+15000 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 2579
Minimum: 10

BAT54A-215, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 0.2A, 600mA, SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Kapsling (JEDEC-standard): -. Framåtström (AV): 200mA. Framåtström [A]: 0.2A. IFSM: 600mA. Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 30 v. Antal per fodral: 2. Antal terminaler: 3. Antal terminaler: 3. Cj: 10pF. Dielektrisk struktur: gemensam anod. Driftstemperatur: -65...+150°C. Framspänning Vf (min): 240mV. Funktion: Dubbel Schottky-diod. Halvledarmaterial: Sb. Ifsm [A]: 0.6A. Komponentfamilj: dubbel Schottky-diod, SMD-montering. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Läckström vid stängning Ir [A]: 2uA. MRT (max): 2uA. Max temperatur: +150°C.. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: L42 eller V3. Omkopplingshastighet (regenereringstid) tr [sek.]: 5 ns. RoHS: ja. Slutspänning (repetitiv) Vrrm [V]: 30 v. Spec info: IFSM--600mAp (t=10ms). Trr-diod (Min.): 5 ns. Tröskelspänning Vf (max): 800mV. [V]: 0.4V @ 10mA. Originalprodukt från tillverkaren: Nxp Semiconductors. Minsta kvantitet: 10. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 12:18

Teknisk dokumentation (PDF)
BAT54A-215
32 parametrar
Hölje
SOT-23 ( TO-236 )
Framåtström (AV)
200mA
Framåtström [A]
0.2A
IFSM
600mA
Hölje (enligt datablad)
SOT-23 ( TO236 )
VRRM
30 v
Antal per fodral
2
Antal terminaler
3
Antal terminaler
3
Cj
10pF
Dielektrisk struktur
gemensam anod
Driftstemperatur
-65...+150°C
Framspänning Vf (min)
240mV
Funktion
Dubbel Schottky-diod
Halvledarmaterial
Sb
Ifsm [A]
0.6A
Komponentfamilj
dubbel Schottky-diod, SMD-montering
Konfiguration
ytmonterad komponent (SMD)
Läckström vid stängning Ir [A]
2uA
MRT (max)
2uA
Max temperatur
+150°C.
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Märkning på höljet
L42 eller V3
Omkopplingshastighet (regenereringstid) tr [sek.]
5 ns
RoHS
ja
Slutspänning (repetitiv) Vrrm [V]
30 v
Spec info
IFSM--600mAp (t=10ms)
Trr-diod (Min.)
5 ns
Tröskelspänning Vf (max)
800mV
[V]
0.4V @ 10mA
Originalprodukt från tillverkaren
Nxp Semiconductors
Minsta kvantitet
10