BAS85-GS08, 12.7k Ohms, 30 v, 0.2A, 0.2A, 0.2A, 0.6A, SOD-80C

BAS85-GS08, 12.7k Ohms, 30 v, 0.2A, 0.2A, 0.2A, 0.6A, SOD-80C

Kvantitet
Enhetspris
10-49
0.55kr
50-99
0.49kr
100+
0.43kr
+12233 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: 1981
Minimum: 10

BAS85-GS08, 12.7k Ohms, 30 v, 0.2A, 0.2A, 0.2A, 0.6A, SOD-80C. Hölje: 12.7k Ohms. Kapsling (JEDEC-standard): -. VRRM: 30 v. Genomsnittlig likriktad ström per diod: 0.2A. Framåtström (AV): 0.2A. Framåtström [A]: 0.2A. IFSM: 0.6A. Hölje (enligt datablad): SOD-80C. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 2. Antal terminaler: 2. Cj: 10pF. Dielektrisk struktur: Anod-katod. Diod typ: schottky. Diodkonfiguration: oberoende. Driftstemperatur: -55...+150°C. Framspänning (max): <0.80V / 0.1A. Framspänning Vf (min): 0.24V. Funktion: Schottky-barriärdioder med snabbväxling av glas. Halvledarmaterial: Sb. Ifsm [A]: 0.6A. Information: -. Komponentfamilj: Schottky-diod för små signaler, SMD-montering. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Läckström vid stängning Ir [A]: 0.2uA..2uA. MRT (max): 2uA. MRT (min): 0.2uA. MSL: -. Max temperatur: +150°C.. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Monteringstyp: SMD. Omkopplingshastighet (regenereringstid) tr [sek.]: 5 ns. Omvänd läckström: 2uA / 25V. Pd (effektförlust, max): 200mW. RoHS: ja. Serie: BAS. Slutspänning (repetitiv) Vrrm [V]: 30 v. Spec info: IFSM 0.6A t=1s. Trr-diod (Min.): 5 ns. Tröskelspänning Vf (max): 0.8V. [V]: 0.4V @ 10mA. Originalprodukt från tillverkaren: Vishay. Minsta kvantitet: 10. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 18:01

Teknisk dokumentation (PDF)
BAS85-GS08
40 parametrar
Hölje
12.7k Ohms
VRRM
30 v
Genomsnittlig likriktad ström per diod
0.2A
Framåtström (AV)
0.2A
Framåtström [A]
0.2A
IFSM
0.6A
Hölje (enligt datablad)
SOD-80C
Antal per fodral
1
Antal terminaler
2
Antal terminaler
2
Cj
10pF
Dielektrisk struktur
Anod-katod
Diod typ
schottky
Diodkonfiguration
oberoende
Driftstemperatur
-55...+150°C
Framspänning (max)
<0.80V / 0.1A
Framspänning Vf (min)
0.24V
Funktion
Schottky-barriärdioder med snabbväxling av glas
Halvledarmaterial
Sb
Ifsm [A]
0.6A
Komponentfamilj
Schottky-diod för små signaler, SMD-montering
Konfiguration
ytmonterad komponent (SMD)
Läckström vid stängning Ir [A]
0.2uA..2uA
MRT (max)
2uA
MRT (min)
0.2uA
Max temperatur
+150°C.
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Monteringstyp
SMD
Omkopplingshastighet (regenereringstid) tr [sek.]
5 ns
Omvänd läckström
2uA / 25V
Pd (effektförlust, max)
200mW
RoHS
ja
Serie
BAS
Slutspänning (repetitiv) Vrrm [V]
30 v
Spec info
IFSM 0.6A t=1s
Trr-diod (Min.)
5 ns
Tröskelspänning Vf (max)
0.8V
[V]
0.4V @ 10mA
Originalprodukt från tillverkaren
Vishay
Minsta kvantitet
10

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för BAS85-GS08