BAS85, 12.7k Ohms, 0.2A, 4A, SOD-80C, 30 v

BAS85, 12.7k Ohms, 0.2A, 4A, SOD-80C, 30 v

Kvantitet
Enhetspris
10-49
0.54kr
50-99
0.47kr
100-199
0.43kr
200+
0.35kr
+50 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: 1608
Minimum: 10

BAS85, 12.7k Ohms, 0.2A, 4A, SOD-80C, 30 v. Hölje: 12.7k Ohms. Framåtström (AV): 0.2A. IFSM: 4A. Hölje (enligt datablad): SOD-80C. VRRM: 30 v. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 2. Cj: 10pF. Dielektrisk struktur: Anod-katod. Diod typ: Schottky likriktardiod. Driftstemperatur: -55...+125°C. Framspänning Vf (min): 0.24V. Funktion: Schottky-barriärdioder med snabbväxling av glas. Halvledarmaterial: Sb. Halvledarstruktur: diod. Körström: 200mA. Ledningsspänning (tröskelspänning): 0.8V. MRT (max): 2uA. Max omvänd spänning: 30V. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 200mW. Pulsström max.: 5A. RoHS: ja. Spec info: IFSM--4A t=10ms. Trr-diod (Min.): 5 ns. Tröskelspänning Vf (max): 0.8V. Tröskelspänning: 320mV. Originalprodukt från tillverkaren: Taiwan Semiconductor. Minsta kvantitet: 10. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 18:01

Teknisk dokumentation (PDF)
BAS85
29 parametrar
Hölje
12.7k Ohms
Framåtström (AV)
0.2A
IFSM
4A
Hölje (enligt datablad)
SOD-80C
VRRM
30 v
Antal per fodral
1
Antal terminaler
2
Cj
10pF
Dielektrisk struktur
Anod-katod
Diod typ
Schottky likriktardiod
Driftstemperatur
-55...+125°C
Framspänning Vf (min)
0.24V
Funktion
Schottky-barriärdioder med snabbväxling av glas
Halvledarmaterial
Sb
Halvledarstruktur
diod
Körström
200mA
Ledningsspänning (tröskelspänning)
0.8V
MRT (max)
2uA
Max omvänd spänning
30V
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Pd (effektförlust, max)
200mW
Pulsström max.
5A
RoHS
ja
Spec info
IFSM--4A t=10ms
Trr-diod (Min.)
5 ns
Tröskelspänning Vf (max)
0.8V
Tröskelspänning
320mV
Originalprodukt från tillverkaren
Taiwan Semiconductor
Minsta kvantitet
10

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för BAS85