BAS28, SOT-143, 215mA, 0.215A, 1A, SOT-143, 85V

BAS28, SOT-143, 215mA, 0.215A, 1A, SOT-143, 85V

Kvantitet
Enhetspris
10-49
0.41kr
50-99
0.34kr
100+
0.30kr
+1313 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 2558
Minimum: 10

BAS28, SOT-143, 215mA, 0.215A, 1A, SOT-143, 85V. Hölje: SOT-143. Kapsling (JEDEC-standard): -. Framåtström (AV): 215mA. Framåtström [A]: 0.215A. IFSM: 1A. Hölje (enligt datablad): SOT-143. VRRM: 85V. Antal per fodral: 2. Antal terminaler: 4. Antal terminaler: 4. Cj: 1.5pF. Dielektrisk struktur: Oberoende. Framspänning Vf (min): 0.715V. Funktion: Höghastighetsomkoppling. Halvledarmaterial: kisel. Ifsm [A]: 4A. Komponentfamilj: dubbla småsignalsdioder, Ytmontering (SMD). Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Läckström vid stängning Ir [A]: 30nA..50uA. Max temperatur: +150°C.. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: JTp. Omkopplingshastighet (regenereringstid) tr [sek.]: 4 ns. RoHS: ja. Slutspänning (repetitiv) Vrrm [V]: 85V. Spec info: IFSM--t=1us 4Ap, t=1ms 1Ap.. Temperatur: +150°C. Trr-diod (Min.): 4 ns. Tröskelspänning Vf (max): 1.25V. [V]: 0.855V @ 10mA. Originalprodukt från tillverkaren: Philips Semiconductors. Minsta kvantitet: 10. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 18:01

Teknisk dokumentation (PDF)
BAS28
31 parametrar
Hölje
SOT-143
Framåtström (AV)
215mA
Framåtström [A]
0.215A
IFSM
1A
Hölje (enligt datablad)
SOT-143
VRRM
85V
Antal per fodral
2
Antal terminaler
4
Antal terminaler
4
Cj
1.5pF
Dielektrisk struktur
Oberoende
Framspänning Vf (min)
0.715V
Funktion
Höghastighetsomkoppling
Halvledarmaterial
kisel
Ifsm [A]
4A
Komponentfamilj
dubbla småsignalsdioder, Ytmontering (SMD)
Konfiguration
ytmonterad komponent (SMD)
Läckström vid stängning Ir [A]
30nA..50uA
Max temperatur
+150°C.
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Märkning på höljet
JTp
Omkopplingshastighet (regenereringstid) tr [sek.]
4 ns
RoHS
ja
Slutspänning (repetitiv) Vrrm [V]
85V
Spec info
IFSM--t=1us 4Ap, t=1ms 1Ap.
Temperatur
+150°C
Trr-diod (Min.)
4 ns
Tröskelspänning Vf (max)
1.25V
[V]
0.855V @ 10mA
Originalprodukt från tillverkaren
Philips Semiconductors
Minsta kvantitet
10