| +7094 snabbt | |
| Antal i lager: 99 |
6N136-F
Kvantitet
Enhetspris
1-4
13.56kr
5-24
11.52kr
25-49
10.03kr
50-99
9.04kr
100+
7.66kr
| Föråldrad produkt, kommer snart att tas bort från katalogen. Sista tillgängliga varorna | |
| Ekvivalens tillgänglig | |
| Antal i lager: 7 |
6N136-F. Antal terminaler: 8. Baudhastighet: 1 MBit/s. CTR: 19...24 %. Courant IF-diod (topp): 50mA. Diod IF: 25mA. Diod Power: 45mW. Diod tröskelspänning: 1.45V. Driftstemperatur: -55...+100°C. Hölje (enligt datablad): DIP-8. Hölje: DIP. Ic(puls): 16mA. Kollektorström: 8mA. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 0.1W. RoHS: ja. Spec info: High speed, 1MBit/s. Utgång: transistorutgång. VCC: 15V. VRRM: 2500V. Originalprodukt från tillverkaren: Toshiba. Antal i lager uppdaterad den 14/11/2025, 00:30
6N136-F
20 parametrar
Antal terminaler
8
Baudhastighet
1 MBit/s
CTR
19...24 %
Courant IF-diod (topp)
50mA
Diod IF
25mA
Diod Power
45mW
Diod tröskelspänning
1.45V
Driftstemperatur
-55...+100°C
Hölje (enligt datablad)
DIP-8
Hölje
DIP
Ic(puls)
16mA
Kollektorström
8mA
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
0.1W
RoHS
ja
Spec info
High speed, 1MBit/s
Utgång
transistorutgång
VCC
15V
VRRM
2500V
Originalprodukt från tillverkaren
Toshiba