4N32M

4N32M

Kvantitet
Enhetspris
1-49
13.41kr
50-249
8.39kr
250+
7.47kr
Antal i lager: 920

4N32M. Antal kretsar: 1. Antal terminaler: 6. Avstängningsfördröjning tf [μsek.]: 100us. Hastighet: 500 %. Hölje: DIP6. Isolationsspänning Uiso [kV]: 4.1 kV. Kapsling (JEDEC-standard): -. Komponentfamilj: Optokopplare. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Max temperatur: +100°C.. RoHS: ja. Tillkopplingstid tr [μsek.]: 5us. Typ av ingång: Infraröd LED. Typ av optokopplare: optokopplare för allmänt bruk. Utgångstyp: NPN darlington transistor. [V]: 60V. [nuvarande MA]: 10mA. Originalprodukt från tillverkaren: Onsemi (fairchild). Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 21:13

Teknisk dokumentation (PDF)
4N32M
17 parametrar
Antal kretsar
1
Antal terminaler
6
Avstängningsfördröjning tf [μsek.]
100us
Hastighet
500 %
Hölje
DIP6
Isolationsspänning Uiso [kV]
4.1 kV
Komponentfamilj
Optokopplare
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Max temperatur
+100°C.
RoHS
ja
Tillkopplingstid tr [μsek.]
5us
Typ av ingång
Infraröd LED
Typ av optokopplare
optokopplare för allmänt bruk
Utgångstyp
NPN darlington transistor
[V]
60V
[nuvarande MA]
10mA
Originalprodukt från tillverkaren
Onsemi (fairchild)