4N28

4N28

Kvantitet
Enhetspris
1-4
5.21kr
5-49
4.34kr
50-99
3.73kr
100-199
3.38kr
200+
2.90kr
Antal i lager: 139

4N28. Antal terminaler: 6. CTR: 10...30 %. Courant IF-diod (topp): 3A. Diod IF: 60mA. Diod Power: 0.1W. Diod tröskelspänning: 1.3V. Driftstemperatur: -55...+100°C. Funktion: Fototransistorutgång, med basanslutning. Hölje (enligt datablad): DIP-6. Hölje: DIP. Ic(puls): 100mA. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Kollektorström: 50mA. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Obs: Iceo 10nA. Pd (effektförlust, max): 150mW. RoHS: ja. Tf (typ): 2us. Utgång: transistorutgång med bas. VECO: 7V. Vcbo: 70V. Vebo: 7V. Vrms: 5000V. Originalprodukt från tillverkaren: Vishay. Antal i lager uppdaterad den 14/11/2025, 00:30

Teknisk dokumentation (PDF)
4N28
25 parametrar
Antal terminaler
6
CTR
10...30 %
Courant IF-diod (topp)
3A
Diod IF
60mA
Diod Power
0.1W
Diod tröskelspänning
1.3V
Driftstemperatur
-55...+100°C
Funktion
Fototransistorutgång, med basanslutning
Hölje (enligt datablad)
DIP-6
Hölje
DIP
Ic(puls)
100mA
Kollektor-/emitterspänning Vceo
30 v
Kollektorström
50mA
Maximal mättnadsspänning VCE(sat)
0.5V
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Obs
Iceo 10nA
Pd (effektförlust, max)
150mW
RoHS
ja
Tf (typ)
2us
Utgång
transistorutgång med bas
VECO
7V
Vcbo
70V
Vebo
7V
Vrms
5000V
Originalprodukt från tillverkaren
Vishay