| +4731 snabbt | |
| Föråldrad produkt, kommer snart att tas bort från katalogen. Sista tillgängliga varorna | |
| Antal i lager: 446 |
4N25-LIT
Kvantitet
Enhetspris
1-4
4.80kr
5-49
4.06kr
50-99
3.54kr
100-199
3.22kr
200+
2.70kr
| Ekvivalens tillgänglig | |
| Antal i lager: 251 |
4N25-LIT. Antal terminaler: 6. CTR: 20...50 %. Courant IF-diod (topp): 3A. Diod IF: 60mA. Diod Power: 0.1W. Diod tröskelspänning: 1.2V. Driftstemperatur: -55...+100°C. Ekvivalenta: LTV-4N25. Funktion: Fototransistorutgång, med basanslutning. Hölje (enligt datablad): DIP-6. Hölje: DIP. Ic(puls): 100mA. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Kollektorström: 50mA. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 150mW. RoHS: ja. Tf (typ): 3us. Utgång: transistorutgång med bas. VRRM: 5000V. Vcbo: 80V. Vebo: 7V. Originalprodukt från tillverkaren: Lite-on. Antal i lager uppdaterad den 14/11/2025, 00:30
4N25-LIT
24 parametrar
Antal terminaler
6
CTR
20...50 %
Courant IF-diod (topp)
3A
Diod IF
60mA
Diod Power
0.1W
Diod tröskelspänning
1.2V
Driftstemperatur
-55...+100°C
Ekvivalenta
LTV-4N25
Funktion
Fototransistorutgång, med basanslutning
Hölje (enligt datablad)
DIP-6
Hölje
DIP
Ic(puls)
100mA
Kollektor-/emitterspänning Vceo
80V
Kollektorström
50mA
Maximal mättnadsspänning VCE(sat)
0.5V
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
150mW
RoHS
ja
Tf (typ)
3us
Utgång
transistorutgång med bas
VRRM
5000V
Vcbo
80V
Vebo
7V
Originalprodukt från tillverkaren
Lite-on