30BQ100, 3A, 800A (tp=5us), 70A (tp=10ms), DO-214, SMC (8,1x6,2x2,6 mm), 100V

30BQ100, 3A, 800A (tp=5us), 70A (tp=10ms), DO-214, SMC (8,1x6,2x2,6 mm), 100V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
4.94kr
5-49
4.25kr
50-99
3.67kr
100-199
3.19kr
200+
2.56kr
Antal i lager: 3490

30BQ100, 3A, 800A (tp=5us), 70A (tp=10ms), DO-214, SMC (8,1x6,2x2,6 mm), 100V. Framåtström (AV): 3A. IFSM: 800A (tp=5us), 70A (tp=10ms). Hölje: DO-214. Hölje (enligt datablad): SMC (8,1x6,2x2,6 mm). VRRM: 100V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 2. Cj: 115pF. Dielektrisk struktur: Anod-katod. Driftstemperatur: -55...+175°C. Framspänning Vf (min): 0.62V. Halvledarmaterial: Sb. MRT (max): 5mA. MRT (min): 0.5mA. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: 3J. RoHS: ja. Tröskelspänning Vf (max): 0,96V. Originalprodukt från tillverkaren: Vishay. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 12:18

Teknisk dokumentation (PDF)
30BQ100
19 parametrar
Framåtström (AV)
3A
IFSM
800A (tp=5us), 70A (tp=10ms)
Hölje
DO-214
Hölje (enligt datablad)
SMC (8,1x6,2x2,6 mm)
VRRM
100V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
2
Cj
115pF
Dielektrisk struktur
Anod-katod
Driftstemperatur
-55...+175°C
Framspänning Vf (min)
0.62V
Halvledarmaterial
Sb
MRT (max)
5mA
MRT (min)
0.5mA
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Märkning på höljet
3J
RoHS
ja
Tröskelspänning Vf (max)
0,96V
Originalprodukt från tillverkaren
Vishay