2N6075BG, 4A, TO-126, 600V, 600V
Kvantitet
Enhetspris
1-49
13.83kr
50+
10.13kr
| Antal i lager: 8 |
2N6075BG, 4A, TO-126, 600V, 600V. Max kontinuerlig ström: 4A. Hölje: TO-126. VDRM: 600V. Kapsling (JEDEC-standard): -. Toppspänning (repetitiv) Urrm [V]: 600V. Antal terminaler: 3. Effektiv ström (periodisk) Iav [A], Max.: 4A. Egenskaper för halvledare: Känslig grind. Gate Trigger Aktuell Igt: 3mA. Igm1 [A]: 15mA. Igm2 [A]: -15mA. Igm3 [A]: -15mA. Igm4 [A]: 20mA. Komponentfamilj: Standard triacs. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Max temperatur: +110°C.. Peak Current (icke-repetitiva) IP [A]: 30A. RoHS: ja. Tillverkarens märkning: 2N6075BG. Typ: TRIAC. Originalprodukt från tillverkaren: Onsemi. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 15:05
2N6075BG
20 parametrar
Max kontinuerlig ström
4A
Hölje
TO-126
VDRM
600V
Toppspänning (repetitiv) Urrm [V]
600V
Antal terminaler
3
Effektiv ström (periodisk) Iav [A], Max.
4A
Egenskaper för halvledare
Känslig grind
Gate Trigger Aktuell Igt
3mA
Igm1 [A]
15mA
Igm2 [A]
-15mA
Igm3 [A]
-15mA
Igm4 [A]
20mA
Komponentfamilj
Standard triacs
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Max temperatur
+110°C.
Peak Current (icke-repetitiva) IP [A]
30A
RoHS
ja
Tillverkarens märkning
2N6075BG
Typ
TRIAC
Originalprodukt från tillverkaren
Onsemi