2N5064G

2N5064G

Kvantitet
Enhetspris
1+
10.35kr
Antal i lager: 3826

2N5064G. Antal terminaler: 3. Effektiv ström (periodisk) Iav [A], Max.: 0.8A. Hölje: TO-92. Igm[A]: 350uA. Kapsling (JEDEC-standard): -. Komponentfamilj: tyristor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Max temperatur: +110°C.. Peak Current (icke-repetitiva) IP [A]: 10A. RoHS: ja. Tillverkarens märkning: 2N5064. Toppspänning (repetitiv) Urrm [V]: 200V. Originalprodukt från tillverkaren: Onsemi. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 21:22

Teknisk dokumentation (PDF)
2N5064G
12 parametrar
Antal terminaler
3
Effektiv ström (periodisk) Iav [A], Max.
0.8A
Hölje
TO-92
Igm[A]
350uA
Komponentfamilj
tyristor
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Max temperatur
+110°C.
Peak Current (icke-repetitiva) IP [A]
10A
RoHS
ja
Tillverkarens märkning
2N5064
Toppspänning (repetitiv) Urrm [V]
200V
Originalprodukt från tillverkaren
Onsemi