1N4448, DO-35 ( SOD27 ), 0.15A, 0.45A, 0.3A, DO-35, 100V

1N4448, DO-35 ( SOD27 ), 0.15A, 0.45A, 0.3A, DO-35, 100V

Kvantitet
Enhetspris
10-49
0.34kr
50-99
0.30kr
100-499
0.27kr
500-999
0.22kr
1000+
0.15kr
+5759 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: 3913
Minimum: 10

1N4448, DO-35 ( SOD27 ), 0.15A, 0.45A, 0.3A, DO-35, 100V. Hölje: DO-35 ( SOD27 ). Framåtström (AV): 0.15A. Kapsling (JEDEC-standard): -. IFSM: 0.45A. Framåtström [A]: 0.3A. Hölje (enligt datablad): DO-35. VRRM: 100V. Antal terminaler: 2. Antal terminaler: 2. Cj: 4pF. Driftstemperatur: -65...+150°C. Halvledarmaterial: kisel. Ifsm [A]: 2A. Komponentfamilj: Silikondiod med liten signal. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Läckström vid stängning Ir [A]: 25nA..5uA. MRT (max): 5uA. MRT (min): 25nA. Max temperatur: +150°C.. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Omkopplingshastighet (regenereringstid) tr [sek.]: 4 ns. Pd (effektförlust, max): 0.5W. RoHS: ja. Slutspänning (repetitiv) Vrrm [V]: 100V. Spec info: Ifsm--2A, Pluse width = 1uS. Trr-diod (Min.): 4 ns. Tröskelspänning Vf (max): 1V. [V]: 0.7V @ 5mA. Originalprodukt från tillverkaren: Taiwan Semiconductor. Minsta kvantitet: 10. Antal i lager uppdaterad den 14/12/2025, 01:04

Teknisk dokumentation (PDF)
1N4448
29 parametrar
Hölje
DO-35 ( SOD27 )
Framåtström (AV)
0.15A
IFSM
0.45A
Framåtström [A]
0.3A
Hölje (enligt datablad)
DO-35
VRRM
100V
Antal terminaler
2
Antal terminaler
2
Cj
4pF
Driftstemperatur
-65...+150°C
Halvledarmaterial
kisel
Ifsm [A]
2A
Komponentfamilj
Silikondiod med liten signal
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Läckström vid stängning Ir [A]
25nA..5uA
MRT (max)
5uA
MRT (min)
25nA
Max temperatur
+150°C.
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Omkopplingshastighet (regenereringstid) tr [sek.]
4 ns
Pd (effektförlust, max)
0.5W
RoHS
ja
Slutspänning (repetitiv) Vrrm [V]
100V
Spec info
Ifsm--2A, Pluse width = 1uS
Trr-diod (Min.)
4 ns
Tröskelspänning Vf (max)
1V
[V]
0.7V @ 5mA
Originalprodukt från tillverkaren
Taiwan Semiconductor
Minsta kvantitet
10

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för 1N4448